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晶圓貼膜方法及晶圓貼膜裝置與流程

來源: 瀏覽: 發布日期:2020-09-14 14:34:32
信息摘要:
  晶圓減薄與晶圓切割是半導體製造工藝流程中必不可少的工序,通常是從晶圓沒有電路結構的一麵進行減薄或切割。在晶圓減薄或切割之前,需要在晶圓具有電路結構的一麵貼膜,保護該電路結構。現有技術在進行貼膜時,

  晶圓減薄與晶圓切割是半導體製造工藝流程中必不可少的工序,通常是從晶圓沒有電路結構的一麵進行減薄或切割。在晶圓減薄或切割之前,需要在晶圓具有電路結構的一麵貼膜,保護該電路結構。現有技術在進行貼膜時,膜片與晶圓之間容易形成氣泡,貼膜質量較差,膜片對晶圓的支撐與保護作用較差。

  有鑒於此,本實施例提供一種晶圓貼膜方法及晶圓貼膜裝置

  本實施例的第一方麵提供一種晶圓貼膜方法,包括:

  在晶圓的第一表麵覆蓋膜片;其中,所述膜片的下表麵與所述第一表麵接觸;

  利用氣體抽取裝置抽取所述膜片和所述第一表麵之間的氣體,以使所述第一表麵與所述膜片的下表麵之間的第一壓強,小於所述膜片的上表麵的第二壓強。

  在所述膜片的上表麵形成保護層;其中,所述保護層具有與所述膜片的上表麵相對設置的第三表麵,所述第三表麵滿足預設平坦條件。

晶圓貼膜機

  當所述第一壓強小於預設壓強時,在所述膜片的上表麵形成保護層;其中,所述預設壓強小於所述第二壓強;

  從開始抽取所述膜片和所述第一表麵之間的氣體的時刻起,經過預設時長後,在所述膜片的上表麵形成保護層。

  根據一種實施例,所述在所述膜片的上表麵形成保護層,包括:

  在所述膜片的上表麵旋塗保護層材料;

  固化所述保護層材料,以形成所述保護層。

  將所述晶圓置於放置裝置中,使所述晶圓的第二表麵與所述放置裝置的底部接觸;其中,所述第二表麵為所述第一表麵的相反麵;

  利用所述氣體抽取裝置抽取所述第二表麵與所述放置裝置的底部之間的氣體,以使所述晶圓穩定在所述放置裝置的底部。

  根據一種實施例,所述在晶圓的第一表麵覆蓋膜片,包括:

  將所述膜片覆蓋在所述第一表麵,所述膜片的下表麵的第一區域與所述第一表麵接觸,所述膜片的下表麵的第二區域與所述放置裝置的側壁接觸;其中,所述放置裝置的側壁垂直於所述放置裝置的底部。

  本發明實施例的第二方麵提供一種晶圓貼膜裝置,包括:

  放置裝置,用於放置晶圓;其中,所述放置裝置上具有第一出氣孔;

  覆膜裝置,用於在晶圓的第一表麵覆蓋膜片;其中,所述膜片的下表麵與所述第一表麵接觸;

  氣體抽取裝置,與安裝在所述第一出氣孔內的第一出氣管相連,用於抽取所述膜片和所述第一表麵之間的氣體,以使所述第一表麵與所述膜片的下表麵之間的第一壓強,小於所述膜片的上表麵的第二壓強。

  塗層裝置,用於在所述膜片的上表麵形成保護層;其中,所述保護層具有與所述膜片的上表麵相對設置的第三表麵,所述第三表麵滿足預設平坦條件。

  壓強檢測裝置,用於檢測所述第一壓強;

  所述塗層裝置,與所述壓強檢測裝置相連,用於當所述第一壓強小於預設壓強時,在所述膜片的上表麵形成保護層;所述預設壓強小於所述第二壓強;

  晶圓貼膜機還包括:計時裝置,與所述氣體抽取裝置相連,用於從所述氣體抽取裝置開始抽取所述膜片和所述第一表麵之間的氣體的時刻起,開始計時;

  所述塗層裝置,與所述計時裝置相連,用於當所述計時裝置記錄的時長等於預設時長時,在所述膜片的上表麵形成保護層。


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