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超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程

來源: 瀏覽: 發布日期:2020-11-20 13:38:24
信息摘要:
  超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對於LT薄片加工的方法為雙麵拋光後進行單麵粗化來達到製程應用的需求,但此種工藝需對晶片進行雙麵拋光加工,加工時間與成本上升許多,且難以保證單麵粗化的過程

  超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對於LT薄片加工的方法為雙麵拋光後進行單麵粗化來達到製程應用的需求,但此種工藝需對晶片進行雙麵拋光加工,加工時間與成本上升許多,且難以保證單麵粗化的過程對於晶片另一表麵不會造成損傷。

  國內另有一種現有工法為單麵拋光製程,該製程利用上蠟或者吸附墊方式將晶片固定住,然而此作法做出來的晶片平坦度水準較雙拋工藝差,常常造成後段黃光微影製程的困擾,致使晶片表現不佳亦或是短路。

  雙拋工藝受限夾治具的剛性強度要求,晶片越往薄化發展代表對應的夾具需要更薄,此時夾具剛性已無法提供穩定的加工保證,其時成品率將大幅降低或者加工成本會大幅上升。

  使用上蠟將晶片固定的作法也容易因為上下蠟製程普遍需要升溫或降溫促使身為壓電材料的LT發生破碎,尤其是晶片厚度較薄時。

  使用吸附墊方式將晶片固定的作法也無法將晶片做薄,主要原因為LT晶片材質易碎薄化過程中背麵使用軟的吸附墊晶片容易造成形變發生碎片。

  上述的幾項傳統加工工藝無法達到LT晶片厚度<200um,且平坦度在5mm2<0.5um,PLTV>95%穩定產品品質要求,為此,超污草莓视频下载安装提出一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法。

  優選的,所述真空吸盤材質為陶瓷材料,用以避免研拋時高度的丝瓜草莓视频深夜释放自己、溫度對真空吸盤造成形變,確保超薄晶片加工後平坦度精度。

  優選的,所述真空係統在超薄晶片拋光過程中要持續運行,且真空係統產生的吸附力需大於晶片加工時摩擦所承受的側向力。

  優選的,所述真空吸盤的頂部設置有一個真空室,真空係統通過真空室對抽氣孔進行抽真空。

  優選的,所述真空室的頂部設置有氣囊,氣囊與真空吸盤之間形成真空室,氣囊的頂部連通有充氣管,真空室的頂部連通有抽氣管,氣囊通過充氣管進行充氣,真空係統通過抽氣管對真空室進行抽真空。

  與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明較傳統的吸附墊夾持方式,可以大幅增加加工超污草莓视频下载安装,提升拋光效率,並且可以克服傳統的雙拋、上蠟以及吸附墊夾持加工方式無法達到<200um的工藝水準,使用本案加工方式可以有效將晶片薄化到<50um,且保證表麵平坦度可達5mm2<0.5um,PLTV>95%的水準,解決了傳統加工工藝無法達到鉭酸鋰(LiTaO3;LT)晶片厚度<200um,且平坦度在5mm2<0.5um,PLTV>95%穩定產品品質要求的問題。

  具體實施方式

  下麵對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本發明保護的範圍。

  本發明提供一種技術方案:一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法,包括如下步驟:首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表麵,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空係統,真空係統通過對真空吸盤表麵的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部。

  實施例一:

  首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表麵,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空係統,真空係統通過對真空吸盤表麵的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部。

  實施例二:

  在實施例一中,再加上下述工序:

  真空吸盤材質為陶瓷材料,用以避免研拋時高度的草莓视频污下载app最新ioses、溫度對真空吸盤造成形變,確保超薄晶片加工後平坦度。

  首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表麵,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空係統,真空係統通過對真空吸盤表麵的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部;其中真空吸盤材質為陶瓷材料,用以避免研拋時高度的丝瓜草莓视频深夜释放自己、溫度對真空吸盤造成形變,確保超薄晶片加工後平坦度。

  實施例三:

  在實施例二中,再加上下述工序:

  真空係統在超薄晶片拋光過程中要持續運行,且真空係統產生的吸附力需大於晶片加工時摩擦所承受的側向力。

  首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表麵,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空係統,真空係統通過對真空吸盤表麵的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部;其中真空吸盤材質為陶瓷材料,用以避免研拋時高度的丝瓜草莓视频深夜释放自己、溫度對真空吸盤造成形變,確保超薄晶片加工後平坦度精度;真空係統在超薄晶片拋光過程中要持續運行,且真空係統產生的吸附力需大於晶片加工時摩擦所承受的側向力。

  實施例四:

  在實施例三中,再加上下述工序:

  真空吸盤的頂部設置有一個真空室,真空係統通過真空室對抽氣孔進行抽真空。

  首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表麵,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空係統,真空係統通過對真空吸盤表麵的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部;其中真空吸盤材質為陶瓷材料,用以避免研拋時高度的草莓视视频下载app污网站、溫度對真空吸盤造成形變,確保超薄晶片加工後平坦度精度;真空係統在超薄晶片拋光過程中要持續運行,且真空係統產生的吸附力需大於晶片加工時摩擦所承受的側向力;真空吸盤的頂部設置有一個真空室,真空係統通過真空室對抽氣孔進行抽真空。

  實施例五:

  在實施例四中,再加上下述工序:

  真空室的頂部設置有氣囊,氣囊與真空吸盤之間形成真空,氣囊的頂部連通有充氣管,真空室的頂部連通有抽氣管,氣囊通過充氣管進行充氣,真空係統通過抽氣管對真空室進行抽真空。

  首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表麵,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空係統,真空係統通過對真空吸盤表麵的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部;其中真空吸盤材質為陶瓷材料,用以避免研拋時高度的草莓视视频下载app污网站、溫度對真空吸盤造成形變,確保超薄晶片加工後平坦度精度;真空係統在超薄晶片拋光過程中要持續運行,且真空係統產生的吸附力需大於晶片加工時摩擦所承受的側向力;真空吸盤的頂部設置有一個真空室,真空係統通過真空室對抽氣孔進行抽真空;真空室的頂部設置有氣囊,氣囊與真空吸盤之間形成真空,氣囊的頂部連通有充氣管,真空室的頂部連通有抽氣管,氣囊通過充氣管進行充氣,真空係統通過抽氣管對真空室進行抽真空。

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